- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 11/08 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
Détention brevets de la classe C30B 11/08
Brevets de cette classe: 18
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Crystal Systems Corporation | 16 |
3 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5132 |
2 |
UT-Battelle, LLC | 1333 |
2 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14131 |
1 |
Consolidated Nuclear Security, LLC | 124 |
1 |
CTS Corporation | 274 |
1 |
Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 610 |
1 |
Fisk University | 20 |
1 |
Ibaraki University | 46 |
1 |
JX Nippon Mining & Metals Corporation | 1576 |
1 |
Silicor Materials Inc. | 21 |
1 |
The Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences | 29 |
1 |
Cubicpv Inc. | 118 |
1 |
Rtx Corporation | 8674 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |